SK하이닉스가 개발한 238단 4D 낸드. 〈사진=연합뉴스〉 SK하이닉스가 세계 최초로 업계에서 셀을 가장 높이 쌓은 238단 낸드플래시 개발에 성공했습니다. 최근에 232단 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어서는 기술력입니다. 올해 안에 200단을 넘겠다고 발표한 중국 반도체 기업 YMTC와의 기술 격차도 더 벌린 것으로 평가받습니다.
SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시 샘플을 출시하고 내년 상반기부터 본격적인 양산에 들어간다고 3일 밝혔습니다.
회사 측은 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 점에서 의미가 크다”고 설명했습니다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체입니다.
적층 기술은 빌딩처럼 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 기술입니다. 낸드플래시 경쟁력 향상을 위해선 고차원의 적층 기술이 필요합니다.
SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔습니다. 4D는 3D와 비교할 때 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산 효율은 높아지는 장점이 있습니다.
이번 238단은 단수가 높아졌을 뿐 아니라 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단보다 생산성이 34% 향상됐습니다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많이 생산되기 때문입니다.
238단의 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대보다 50% 빨라졌습니다.
또 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량은 기존보다 21% 줄었다고 회사 측은 설명했습니다.
SK하이닉스는 이날 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory SummitㆍFMS) 2022'에서 이 신제품을 공개했습니다.
SK하이닉스 최정달 부사장(낸드 개발 담당)은 서밋 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스의 경쟁력을 확보했다”고 밝혔습니다. 이어 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했습니다.
SK하이닉스는 PC 저장장치인 클라이언트 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획입니다.