현지시간 12일 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)'에서 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장 사장이 기조연설을 하고 있다. 〈사진=삼성전자〉
삼성전자가 2027년 첨단 파운드리 기술을 도입해 인공지능(AI) 칩 개발에서부터 위탁생산, 조립에 이르기까지 AI 칩 생산을 위한 원스톱 서비스를 강화한다고 밝혔습니다.
삼성전자는 현지시간 12일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고 AI 시대를 주도할 반도체 부문의 기술 전략을 공개했습니다.
이번 포럼은 'AI 혁명 강화'를 주제로 열렸습니다. 삼성전자는 이번 포럼에서 고객의 AI 아이디어 구현을 위한 최선단 파운드리 기술은 물론, 메모리와 어드밴스드 패키지 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 차별화 전략을 제시했습니다.
최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체다"라면서 "삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 밝혔습니다.
삼성전자는 반도체 응용처가 확대되며 다변화하는 고객 수요에 대응하기 위해 AI와 HPC, 전장, 엣지컴퓨팅 등 주요 응용처별 특화 공정을 제공하고 있습니다. 올해 행사에는 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가로 공개했습니다.
삼성전자는 BSPDN(후면전력공급 기술)을 적용한 2나노 공정을 2027년까지 준비한다는 계획입니다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술입니다.
또 이번에 발표한 다른 신규 공정인 4나노 SF4U는 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상되며 2025년 양산 예정입니다.
PPA는 소비전력(Power), 성능(Performance), 면적(Area)의 약자로 공정을 평가하는데 있어 주요한 3가지 지표를 말합니다.
삼성전자는 2027년 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며, 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다고 밝혔습니다.
아울러 3나노 공정에 GAA 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이라고 덧붙였습니다.