5일(현지시간) 미 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이' 미디어 브리핑에서 삼성전자 메모리 사업부 한진만 부사장(왼쪽 첫 번째) 등 경영진이 기자들 질의에 답하고 있다. 〈사진=연합뉴스〉 삼성전자가 차세대 단기 기억장치 D램과 장기 기억장치 낸드 양산 계획을 밝혔습니다.
삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 현지시간 5일 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드(Vertical NAND)를 양산할 계획"이라고 발표했습니다.
현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중입니다.
삼성전자는 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했습니다.
8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐습니다.
5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어납니다.
D램의 역할을 예로 들면, 휴대전화 사진 촬영 후 저장 이전 단계에 이용되는 단기 기억 반도체입니다.
낸드는 촬영 후 저장 시 사용되는 장기 기억 반도체입니다.
'삼성 테크 데이'는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리입니다.